- データセンターのイーサネットスイッチのメーカーは、データレートの高速化という要件と、それにより起こる課題に取り組む必要があります。
- ラインカードレベルでは、最大性能を発揮するうえで障害となるもののひとつに、POMやトランシーバとしても知られているよりワット数のより高いプラガブル光モジュールが発生する熱があります。
- POMとそのライディングヒートシンク間の金属対金属インターフェースを介した従来の放熱方法では、モジュールあたり10Wから35Wにも及ぶより新しいトランシーバ設計の出力に最適ではありません。 1枚のラインカードには、32個ものPOMが搭載されていることがあります。
- 従来のフェーズチェンジフィルムなど、旧世代のサーマルインターフェース材料は、POMを複数回抜き差しすると削られてしまうため適していません。 これにより熱的性能が低下し、データセンターシステムに揮発性物質を混入させてしまう場合もあります。
- このような現実から、あるトップのスイッチメーカーは、20Wのトランシーバ用途において動作温度を下げるため、斬新な革新的ソリューションに注目しました。
- ヘンケルは大手の先進ヒートシンクメーカーとのパートナシップにより、耐久性のあるマイクロサーマルインターフェース材料(mTIM)をニッケルめっきアルミニウムヒートシンクに塗布し、スイッチメーカーのQSFP-DD 400 GbEトランシーバ設計でテストしました。
- 性能評価は、モジュール上の4箇所、およびヒートシンクとPOM間のインターフェースの1箇所に熱電対を配置して実施しました。金属対金属(モジュールとヒートシンクの間にサーマルインターフェース材料がない状態)とヘンケルBERGQUIST® microTIM mTIM 1028でコーティングしたヒートシンクの両方で温度を測定しました。
- 温度は、初期嵌合時(トランシーバとヒートシンクの初期接触)、100回の抜差後、250回の抜差後に、5箇所すべてで測定しました。
5箇所の温度センサー全体の平均温度変化(ΔT、°C)は以下のとおりです：
お客様の分析により、ヘンケルの社内テストデータが検証され、ヘンケルBERGQUIST®(バークィスト) microTIM mTIM 1028は、金属対金属インターフェースと比較して、初期で3°C、100回の抜差後は7.4°C、250回の抜差後は6.4°Cの平均温度の低下が実証されました。この成功に基づいて、このモジュールとヒートシンクの組み合わせは現在現場で使用されており、世界中のデータセンターでスイッチの性能向上に貢献しています。
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